Le développement de la croissance de microLEDs rouges nécessite une compréhension approfondie des propriétés optiques, structurales et chimiques de ce pseudo-substrat, ainsi que des différentes briques constituant la structure LED ré-épitaxiée. Ce travail s’effectuera en lien direct avec l’épitaxie, de façon à aider à comprendre et optimiser les conditions de croissance de la structure LED. 

Votre rôle sera central pour mener à bien et coordonner ces caractérisations à l’interface entre l’équipe assurant les croissances et les experts de la plateforme de nanocaractérisation disposant de nombreuses techniques avancées. Selon les techniques, vous réaliserez vous-même les caractérisations ou les spécifiera, les suivra et les analysera en interaction avec les équipes de cette plateforme. Les possibilités de réaliser localement sur un même échantillon des investigations par différentes techniques de nanocaractérisation disponibles seront mises à profit. Ces caractérisations avancées et/ou corrélatives à l’échelle nanométrique apporteront des informations complémentaires précieuses, en plus des caractérisations plus routinières et plus macroscopiques.

Vous contribuerez au développement d’une structure LED tout InGaN émettant dans le rouge épitaxiée sur ce pseudo-substrat à base de mesas InGaN/GaN poreuses. Vous mettrez pour cela en œuvre, à l’aide des experts de la plateforme nanocaractérisation, des caractérisations matériaux telles que micro-photoluminescence (µPL), cathodoluminescence (CL), microscopie électronique en transmission (TEM), sonde atomique tomographique (APT). Des travaux de simulation pourront également étayer les développements de ces structures.

Pour être éligible, vous devrez être titulaire d’un doctorat de préférence en physique du solide, vous devrez vous investire fortement sur les tâches de caractérisations matériaux, structurales, chimiques et optiques. Une expérience dans les semiconducteurs III-Nitrures et/ou dans des techniques de caractérisation mentionnées est bienvenue.