Stage-Etudes des photodiodes à avalanche (APD)... H/F
Etudes des photodiodes à avalanche (APD) sur matériau CdHgTe pour la caractérisation des états quantiques de la lumière.
Le SCIM est chargé :
- de la conception et du développement des capteurs d'image ;
- de la conduite de projets ;
- de l'architecture composant ;
- de la filière et de la caractérisation pour les domaines de l'imagerie.
Il couvre les applications dans les domaines du rayonnement visible, infrarouge et jusqu'au teraHertz. Le SCIM s'appuie sur les moyens technologiques du DPFT (Département des PlateFormes Technologiques) de l’Institut Leti, intégrant les procédés sur silicium 200 et 300 mm, ainsi que les procédés à base de matériaux II-VI et III-V.
Au sein du Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA LETI, le Laboratoire d'Imagerie « InfraRouge » (LIR) développe les nouvelles générations de détecteurs « infrarouge » refroidis sur les matériaux semi-conducteurs II-VI et III-V, dans le cadre d'un laboratoire commun avec notre partenaire industriel LYNRED, leader mondial en détecteurs IR.
Nous rejoindre, pour quoi faire ?
Au sein du laboratoire LIR de 23 personnes, votre stage s’inscrira dans les développements de détecteurs infra-rouge pour la détection à haute résolution temporelle et haute sensibilité pour les applications quantiques. Dans ce cas, les dispositifs étudiés sont des photodiodes à avalanche (APD).
En tant que Stagiaire Master 2, votre rôle consistera à caractériser les performances des détecteurs à base de photodiodes à avalanche sur matériau CdHgTe pour évaluer leur capacité à répondre aux spécifications des détecteurs pour les applications d’optique quantique. Cette analyse prendra en compte les variantes d’architecture des photodiodes APD et les procédés technologiques utilisés pour leur réalisation
Vos travaux se dérouleront essentiellement au sein du laboratoire de caractérisations électro-optiques du LIR. Vous interagirez avec les équipes matériau et technologie en charge de la fabrication des détecteurs dans la phase d’interprétation des résultats. En complément des caractérisations, un travail de modélisation sous la responsabilité du stagiaire.
Qu’attendons-nous de vous?
Vous êtes titulaire d’un master, dans le domaine de la physique des composants à base de matériaux semi-conducteurs et vous avez envie d’une expérience dans le monde de la recherche appliquée.
Les principales compétences techniques requises au poste sont : physique de la jonction PN, mesures électriques et électro-optiques, aisance pour le traitement des données.
Vous êtes reconnu(e) pour votre rigueur expérimentale, votre capacité d’analyse des données, votre bonne compréhension des phénomènes physiques, et votre sens de l’organisation.
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :
- Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux.
- Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l’innovation
- Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce
- Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions)
- Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l’envie de transmettre
- Une politique diversité et inclusion
De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre stage
- Une première expérience dans le monde fascinant de l’optique quantique.
Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques.